近日，臺(tái)積電公布了2018年3月營(yíng)收?qǐng)?bào)告，2018年3月營(yíng)收約合35.54億美元，第一季度累計(jì)營(yíng)收約合85.03億美元。業(yè)內(nèi)專家認(rèn)為，臺(tái)積電3月份營(yíng)收突破千億元新臺(tái)幣離不開比特大陸的ASIC訂單，2017年臺(tái)積電在南京建廠，中國(guó)大陸的半導(dǎo)體市場(chǎng)為中國(guó)臺(tái)灣企業(yè)提供了廣闊的平臺(tái)。
隨著2017年臺(tái)積電、聯(lián)電等中國(guó)臺(tái)灣企業(yè)加大在中國(guó)大陸投資，臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈在設(shè)備以及材料方面逐漸向大陸轉(zhuǎn)移。記者在參加Semicon China 2018電子展時(shí)，采訪了臺(tái)灣永光化學(xué)工業(yè)股份有限公司處長(zhǎng)孫哲仁，他暢談了中國(guó)大陸以及中國(guó)臺(tái)灣半導(dǎo)體公司互利共贏的合作關(guān)系。孫哲仁表示，近期臺(tái)積電、聯(lián)電在大陸紛紛加大投資力度，一方面拓展了企業(yè)本身的市場(chǎng)空間，另一方面推動(dòng)了中國(guó)臺(tái)灣產(chǎn)業(yè)向中國(guó)大陸逐漸轉(zhuǎn)移。
“這對(duì)完善中國(guó)臺(tái)灣的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈有很大的作用，尤其是半導(dǎo)體設(shè)備、材料等配套廠商的跟進(jìn)。隨著這些大廠(臺(tái)積電、聯(lián)電)在中國(guó)大陸建立生產(chǎn)供應(yīng)基地，中國(guó)大陸的半導(dǎo)體設(shè)備、零組件以及材料廠商都會(huì)受益。”孫哲仁說。
永光化學(xué)是半導(dǎo)體、TFT顯示、LED等上游材料的知名企業(yè)，G-line與I-line等光阻產(chǎn)品深受市場(chǎng)歡迎，晶圓代工產(chǎn)業(yè)的黃光制程應(yīng)用廣泛。隨著制造技術(shù)從高納米走向低納米，產(chǎn)業(yè)對(duì)于材料的分辨率要求也越來越高。“例如光刻膠，隨著晶圓面積變大，要求在相同面積里面容納的東西越來越多，所以就有了G線的光刻膠、I線的光刻膠，會(huì)走向所謂的KrF，甚至于走到ArF。但是一些設(shè)備，例如EUV，面對(duì)的技術(shù)瓶頸就是光刻膠工藝難以滿足需求，這其中很大的原因是分辨率。”孫哲仁說。據(jù)記者了解，光刻膠的敏感度會(huì)根據(jù)對(duì)波長(zhǎng)分辨率的不同有所差異，EUV選擇的波長(zhǎng)只有跟光刻膠最敏感的波段相適應(yīng)才可以達(dá)到最高吸收率，這種搭配契合度也是目前產(chǎn)業(yè)面對(duì)的最大挑戰(zhàn)。
“這便是我們正在做的事情，在整個(gè)半導(dǎo)體工業(yè)中，材料與封裝占很大比重，在中國(guó)臺(tái)灣企業(yè)逐步向中國(guó)大陸轉(zhuǎn)移的同時(shí)，企業(yè)需要明確發(fā)展重心，全方位推動(dòng)整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的發(fā)展。”孫哲仁說。
據(jù)記者了解，2018年永光化學(xué)將繼續(xù)重點(diǎn)推進(jìn)晶圓、封裝使用的光刻膠技術(shù)發(fā)展，配套的SiC拋光液以及柔性顯示器所用材料也將成為工作重心，以應(yīng)對(duì)未來半導(dǎo)體材料的變化趨勢(shì)。“采用高遷移率的FinFET，及用鍺(Ge)和III-V族元素作為溝道材料來提高電荷的遷移率，下一代器件的結(jié)構(gòu)選擇，除了III-V族元素的FinFET，還有環(huán)柵的FinFET、量子阱、矽納米線等等。另外一個(gè)發(fā)展方向，可能是采用一種垂直的晶片架構(gòu)，如2.5D/3D堆疊晶片及單片3D IC。隨著工藝技術(shù)改變，這些變化趨勢(shì)將逐漸顯現(xiàn)出來。”孫哲仁說。
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